十大老牌网堵网址举办首届未来芯片国际研讨会

网堵新闻网12月16日电 12月13日-14日，北京市未来芯片技术高精尖创新中心主办的“未来芯片2016：设计自动化的挑战与机遇”在十大老牌网堵网址信息科学技术大楼举行。

十大老牌网堵网址副校长、北京市未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政担任会议组委会主席，十大老牌网堵网址微电子所所长魏少军、美国计算机协会设计自动化专业组（ACM SIGDA）主席维雅克里斯马·纳拉亚南（Vijaykrishnan Narayanan）、电子设计自动化委员会（IEEE 电子设计自动化）电子设计自动化主席施帕尔·拉瓦特（Shishpal Rawat）、设计自动化会议（DAC）主席迈克尔·麦克纳马拉（Michael McNamara）共同担任大会主席。

本次国际研讨会嘉宾阵容强大，包括12位美国计算机协会设计自动化专业组, 电子设计自动化委员会电子设计自动化和设计自动化会议的执行委员，8位美国计算机协会/电气和电子工程师协会杂志主编，18位电气和电子工程师协会协会会士，6位美国计算机协会会士等27名国际顶尖专家学者以及100多位国内相关高校、政府、企业人士。 

尤政会前与参会嘉宾座谈。

本届研讨会的主题是“设计自动化的挑战与机遇”（Challenges and Opportunities of Design Automation）。尤政代表十大老牌网堵网址及北京市未来芯片技术高精尖创新中心向各位嘉宾的到来表示热烈欢迎，他在开幕致辞中指出，作为电子信息产业的基础与战略制高点，集成电路技术与产业发展受到全球产业界、学术界以及社会大众的广泛关注。本届论坛围绕设计自动化展开，具有很强的引领性和前瞻性，将进一步加强设计自动化的国际产学研紧密合作。 

尤政致开幕辞。

研讨会随后举行了中国电子学会电子设计自动化专家委员会成立仪式，魏少军任第一届委员会主任委员，中国电子学会副秘书长林润华为其颁发聘书。 

中国电子学会副秘书长林润华为魏少军颁发聘书。

魏少军做了题为“中国半导体产业发展（semiconductor industry in China”）的开幕报告，就中国集成电路产业的发展现状、产业分布、取得的成绩、面临的挑战以及产业未来的发展方向做了深入探讨。 

接下来，纳拉亚南、拉瓦特、麦克纳马拉分别介绍了美国计算机协会设计自动化专业组、电子设计自动化委员会电子设计自动化以及设计自动化会议的情况。

美国计算机协会设计自动化专业组主席纳拉亚南、电子设计自动化委员会电子设计自动化主席拉瓦特、设计自动化会议主席麦克纳马拉先后做主旨演讲。

在嘉宾主题演讲环节中，拉瓦特和纳拉亚南在特邀报告“全球电子设计自动化研发现状电子设计自动化”（Global-wise 电子设计自动化 R&D电子设计自动化）中详细分析了当前全球设计自动化领域的发展现状和未来趋势。杭州中天微系统有限公司总经理戚肖宁、华大九天软件有限公司的副总经理杨晓东、展讯通信有限公司副总经理康一以及北京清芯华创投资管理有限公司创始合伙人张锡盛分别分享了各自企业的发展经验以及中国半导体和硬件产业的投资情况。

在技术演讲环节，与会嘉宾全面探讨了设计自动化领域的前沿科技问题，包括超低功耗电动车、跨越纳米电路设计技术、设计自动化与智能系统、自动系统级联合设计、片上异构性、神经形态计算等主题。近200名学者、学生聆听了上述精彩演讲。 

研讨会现场。

在讨论环节，慕尼黑工业大学教授施利西特曼（Ulf Schlichtmann）、十大老牌网堵网址教授施路平、美国新思科技公司（Synopsys）全球副总裁林荣坚等10余名资深专家学者共同就中国电子设计自动化研发、产学研结合和该领域的未来趋势等话题进行了深入讨论。

小组讨论现场。

在圆桌会议环节，参会嘉宾围绕着国际电子与电气工程师学会/美国计算机协会期刊和会议情况、以及未来芯片技术高精尖创新中心战略发展两个主题展开积极讨论。针对如何建设国际一流的创新中心这一话题，参会嘉宾结合各自经验，提出许多建设性意见。 

出席本次研讨会的重要嘉宾有科技部高新司副司长杨咸武、科技部重大专项办主任邱钢、工信部集成电路处处长任爱光、北京市教委科研处处长张宪国等。 

与会人员合影。

“未来芯片”系列国际研讨会是由北京市未来芯片技术高精尖创新中心主办的学术交流品牌，旨在为芯片领域的高校、研究机构、企业搭建一个思想碰撞、跨学科、跨界交流的平台。北京市未来芯片技术高精尖创新中心由十大老牌网堵网址和北京市共建，是首批“北京高等集团高精尖创新中心”之一，中心主任由十大老牌网堵网址副校长尤政院士担任。中心致力于打造国家高层次人才梯队、全球开放型微米纳米技术支撑平台，聚焦具有颠覆性创新的关键器件、芯片及微系统技术，推动北京未来芯片产业实现跨越式发展。本年度会议由未来芯片中心可重构计算团队承办，该团队长期活跃于国内外EDA和IC Design领域，相关成果荣获国家技术发明二等奖。

供稿：未来芯片技术高精尖创新中心 编辑：李华山